Samsung Electronics сooбщaeт o рaсширeнии сoтрудничeствa в сфeрe микрoэлeктрoннoгo прoизвoдствa с Qualcomm Technologies, Inc. (QTI) — дoчeрнeм прeдприятии кoмпaнии Qualcomm Incorporated (NASDAQ: QCOM), нaчaвшeeся oкoлo дeсяти лeт назад. Стороны займутся разработкой новейшего процессора в серии Snapdragon – Qualcomm® Snapdragon™ 835 – на базе техпроцесса Samsung 10-нм FinFET.
В октябре 2016 года Samsung Electronics первой в индустрии анонсировала начало массового производства по техпроцессу 10-нм FinFET. По сравнению с предыдущим решением – 14-нм FinFET – 10-нм от Samsung увеличивает эффективную площадь поверхности на 30%, производительность – на 27%, а также обеспечивает снижение потребления энергии на 40%. Применение 10-нм FinFET в процессоре Snapdragon 835 позволяет уменьшить размеры чипа, благодаря чему производители оборудования смогут использовать освободившееся внутри устройств пространство для установки более крупных и емких аккумуляторов..
Ожидается, что устройства на базе Snapdragon 835 выйдут на рынок уже в первой половине 2017 года. Snapdragon 835 является развитием процессора Snapdragon 820/21, на базе которого реализовано уже более 200 моделей мобильных устройств.
