Бaзoвый принцип рaзвития микрoэлeктрoннoй прoмышлeннoсти был сфoрмулирoвaн oдним из oснoвaтeлeй Intel Гoрдoнoм Муром (Gordon Moore) ещё в далёком 1968 году. Эмпирическое правило гласило, что плотность размещения транзисторов на единице площади полупроводникового кристалла удваивается каждые полтора-два года. Это наблюдение и было названо «законом Мура», хотя в последние годы даже Intel признаёт, что правило если и не перестало действовать, то сильно замедлилось.
Опасения специалистов и инвесторов взялся развеять Джим Келлер (Jim Keller), который с некоторых пор работает в Intel, хотя за свою продолжительную карьеру успел приложить руку к разработке процессоров Apple, AMD и Tesla. На профильном мероприятии один из коллег Келлера заснял его в момент обсуждения дальнейших перспектив развития компоновочных решений в полупроводниковой отрасли. Своей целью презентация имела не только рассказ о новых решениях, но и доказательство того, что «закон Мура» жив и поныне, и это глупо отрицать.
Источник изображения: Twitter, Riva Tez
В качестве решений, позволяющих в ближайшие годы и десятилетия увеличить плотность размещения транзисторов в 50 раз, представитель Intel упоминал использование нанопроводников в двух- и трёхмерной компоновке. Нечто подобное Samsung намеревается применить в рамках своей технологии создания канала, со всех сторон окружённого затвором (GAAFET). По крайней мере, к моменту освоения 3-нм и 4-нм технологий южнокорейский гигант намеревается использовать именно такой подход. Получается, что лидеры полупроводниковой отрасли будут применять схожие решения, хотя в этом нет ничего удивительного.
Кроме того, Джим Келлер утверждает, что многоярусными станут не только кристаллы отдельных процессоров и микросхем, но и целые кремниевые пластины. Трёхмерной компоновке полупроводниковых изделий Intel уделяет особое внимание, и уже скоро выйдут 10-нм мобильные процессоры Lakefield, использующие многоярусную компоновку Foveros с разнородными компонентами. По всей видимости, процессорный гигант намеревается придерживаться этого направления развития и в дальнейшем.
Источник:
